K4RAH086VB-BIWM vs K4RAH086VB-BCWM 비교
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Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BIWM | K4RAH086VB-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.85 | $44.55 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| 데이터 속도 | 5600 Mbps per pin | 5600 Mbps |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | 1.1 V |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range] | Commercial temperature range (per datasheet) |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| 인터페이스 | — | DDR5 (parallel) |
| 패키지 | — | FBGA-82 |
| Technology | — | DRAM (volatile) |
| Speed Grade | — | BCWM |
| ECC | — | On-die ECC |
| Burst Length | — | 32 (BL32, DDR5 standard) |
| 수명 주기 상태 | — | Active |
| Sub-channel Architecture | — | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) |