K4RAH165VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RAH165VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $44.55
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM (volatile DRAM) DDR5 SDRAM
حجم الذاكرة 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
جهد التغذية 1.1 V 1.1 V
Technology DDR5 DRAM (volatile)
العلبة FBGA-106 FBGA-82
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C Commercial temperature range (per datasheet)
Maximum Data Rate (DDR5 family) up to 7200 Mbps —
On-die ECC Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Speed Grade (suffix BCWM) [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] —
Packaging Tray —
التنظيم — 2G x 8
معدل البيانات — 5600 Mbps
الواجهة — DDR5 (parallel)
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
حالة دورة الحياة — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر