K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH165VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 1G x 16 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 4800 Mbps (MT/s) | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| العلبة | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 82FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلامة التجارية | Samsung Semiconductor | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| الواجهة | — | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| حالة RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |