K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH086VB-BIQK مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH165VB-BIQK توسط Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIQK توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 1G x 16 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 4800 Mbps (MT/s) | 4800 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| بسته‌بندی | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 82FBGA |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| برند | Samsung Semiconductor | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| رابط | — | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| وضعیت RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |