K4RBH046VM-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RBH046VM-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RBH046VM-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 16 |
| الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |