K4RBH046VM-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RBH046VM-BCWM מאת Samsung Electronics ו K4RHE165VB-BCWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4RBH046VM-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| גודל זיכרון | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| קצב נתונים | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| מתח אספקה | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| מארז | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| ארגון | — | 1G x 16 |
| ממשק | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |