K4RBH046VM-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RBH046VM-BCWM द्वारा Samsung Electronics और K4RHE165VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RBH046VM-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| डेटा दर | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 24 Gb |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |