M25P16-VMN3PB vs M25P16-VMN3TPB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P16-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25P16-VMN3TPB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3TPB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
نوع الذاكرة Serial NOR Flash, SLC NOR Flash (Serial SPI)
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
التنظيم 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 2 Mbyte x 8
الواجهة SPI SPI Serial
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (single supply)
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +85C
Temperature Grade Automotive —
العلبة 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 15 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection Advanced write-protection mechanisms
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
حجم الذاكرة — 16 Mbit (2 M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (256-byte page)
Sector Erase Time — 0.6 s typ (512 Kbit sector)
Bulk Erase Time — 13 s typ (16 Mbit)
Sector Count — 32 sectors of 64 Kbyte
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر