M25P16-VMN3PB vs M25P16-VMN3TPB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P16-VMN3PB द्वारा Micron Technology और M25P16-VMN3TPB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति
Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3TPB
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद सक्रिय
मेमोरी प्रकार Serial NOR Flash, SLC NOR Flash (Serial SPI)
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
संगठन 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 2 Mbyte x 8
इंटरफ़ेस SPI SPI Serial
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz 75 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (single supply)
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +85C
Temperature Grade Automotive —
पैकेज 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 15 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection Advanced write-protection mechanisms
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
मेमोरी आकार — 16 Mbit (2 M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (256-byte page)
Sector Erase Time — 0.6 s typ (512 Kbit sector)
Bulk Erase Time — 13 s typ (16 Mbit)
Sector Count — 32 sectors of 64 Kbyte
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध