M25P16-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P16-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M25P16-VMN3PB M25P80-VMN3PB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة Serial NOR Flash, SLC FLASH - NOR Memory IC
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
التنظيم 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 1M x 8 bit
الواجهة SPI SPI
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
العلبة 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SO (SOIC-8)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 8 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
حجم الذاكرة — 8 Mbit (1M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر