M25P16-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P16-VMN3PB द्वारा Micron Technology और M25P80-VMN3PB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P16-VMN3PB M25P80-VMN3PB
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार Serial NOR Flash, SLC FLASH - NOR Memory IC
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
संगठन 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 1M x 8 bit
इंटरफ़ेस SPI SPI
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz 75 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
पैकेज 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SO (SOIC-8)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 8 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
मेमोरी आकार — 8 Mbit (1M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध