M25P80-VMN3PB vs M25P16-VMN3PB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25P16-VMN3PB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M25P80-VMN3PB M25P16-VMN3PB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC Serial NOR Flash, SLC
حجم الذاكرة 8 Mbit (1M x 8) —
الواجهة SPI SPI
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
التنظيم 1M x 8 bit 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC, 208 mil SOP)
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns 15 ns
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 16 Mbit (16,777,216 bits)
Write/Erase Endurance — 100,000 cycles
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 8
Maximum Seated Height — 1.75 mm
Product Longevity Program — Yes
Write Protection — Hardware (WP#) and software block protection

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر