M25P80-VMN3PB vs M25P16-VMN3PB तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M25P80-VMN3PB द्वारा Micron Technology और M25P16-VMN3PB द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति
Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M25P80-VMN3PB M25P16-VMN3PB
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC Serial NOR Flash, SLC
मेमोरी आकार 8 Mbit (1M x 8) —
इंटरफ़ेस SPI SPI
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 75 MHz 75 MHz
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
संगठन 1M x 8 bit 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC, 208 mil SOP)
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns 15 ns
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Density — 16 Mbit (16,777,216 bits)
Write/Erase Endurance — 100,000 cycles
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 8
Maximum Seated Height — 1.75 mm
Product Longevity Program — Yes
Write Protection — Hardware (WP#) and software block protection

डेटाशीट और संसाधन

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