M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FB55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Flash
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
التنظيم 1 M x 16 / 2 M x 8 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
الواجهة Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 48-Pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
حالة RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر