M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F160FB55N3E2 توسط Micron Technology و M29F160FT55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Flash
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
سازمان 1 M x 16 / 2 M x 8 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
رابط Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TSOP I 48-Pin TSOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
وضعیت RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت