M29F160FB55N3F2 vs M29W160ET70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F160FB55N3F2 | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| التنظيم | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x 8 / 1M x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 5 V | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 to +125 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant (E suffix) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Mbit |
| Boot Block Location | — | Top boot |
| العلبة | — | 48-TSOP |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |