M29F160FB55N3F2 vs M29W160ET70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29W160ET70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F160FB55N3F2 | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| संगठन | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x 8 / 1M x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 to +125 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | Compliant (E suffix) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| मेमोरी आकार | — | 16 Mbit |
| Boot Block Location | — | Top boot |
| पैकेज | — | 48-TSOP |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |