M29F200FB55N3E2 vs M29F200FT55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FB55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F200FB55N3E2 | M29F200FT55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| التنظيم | 256K x 8 / 128K x 16 | — |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| الواجهة | Parallel, 8/16-bit selectable | Parallel |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 48-pin TSOP I | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC NOR | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray | Tray |
| Memory Organization | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Program / Erase | — | Embedded program/erase controller |
| العلبة | — | 48-TSOP I |
| Bus Mode | — | Byte (x8) / Word (x16) selectable |