M29F200FB55N3E2 vs M29F200FT55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F200FT55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ जीवन की समाप्ति
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FB55N3E2 M29F200FT55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति उत्पादन बंद सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
संगठन 256K x 8 / 128K x 16 —
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
इंटरफ़ेस Parallel, 8/16-bit selectable Parallel
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray Tray
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
सप्लाई वोल्टेज — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
पैकेज — 48-TSOP I
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

डेटाशीट और संसाधन

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