M29F200FT55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FT55N3F2 M29F160FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Flash
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16 Mbit (16777 kbits)
التنظيم 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-pin TSOP 48-Pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر