M29F400FT55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F400FT55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F800FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron
M29F400FT55N3E2 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F400FT55N3E2 | M29F800FT55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 4 Mbit (512K x 8) | 8389 kbits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| جهد التغذية | 5 V (single supply) | 5 V |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT variant) | Top Boot Block |
| العلبة | 44-SO (SOP-44) | 48-TSOP I |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Supply | No 12 V VPP required (5.0 V programming) | — |
| Command Set | JEDEC standard compatible | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] | 100,000 cycles per block (typical for family) |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | >20 years (typical for family) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: Active Current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Block Protection | Hardware block protection | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) |
| Memory Organization | — | 512K x 16 (8 Mbit) |
| Word/Byte Configuration | — | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) |
| Hardware Reset / Power-Down | — | RP# pin |
| Embedded Program/Erase Controller | — | Yes (byte/word program, block erase) |
| Ready/Busy Output | — | Yes |