M29F400FT55N3E2 vs M29F800FT55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F400FT55N3E2 توسط Micron Technology و M29F800FT55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F400FT55N3E2 M29F800FT55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (512K x 8) 8389 kbits
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V (single supply) 5 V
رابط Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top boot (FT variant) Top Boot Block
بسته‌بندی 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Programming Supply No 12 V VPP required (5.0 V programming) —
Command Set JEDEC standard compatible —
دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] 100,000 cycles per block (typical for family)
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] >20 years (typical for family)
Active Read Current [DATA_NEEDED: Active Current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: Standby Current] —
Block Protection Hardware block protection —
سطح MSL [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant (E suffix = lead-free/RoHS)
Memory Organization — 512K x 16 (8 Mbit)
Word/Byte Configuration — BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit)
Hardware Reset / Power-Down — RP# pin
Embedded Program/Erase Controller — Yes (byte/word program, block erase)
Ready/Busy Output — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت