M29F800FB55N3F2 vs M29F800FB55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FB55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FB55N3F2 | M29F800FB55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| التنظيم | 1M x 8 / 512K x 16 | Bottom boot (B suffix) |
| جهد التغذية | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| نوع الواجهة | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (SMD/SMT) |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free terminations) | Compliant (E suffix) |
| حجم الذاكرة | — | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) |
| نوع الذاكرة | — | NOR Flash, SLC, Parallel |
| Supply Voltage Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage Max | — | 5.5 V |
| الواجهة | — | Parallel |
| عرض ناقل البيانات | — | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) |
| العلبة | — | 48-pin TSOP Type I (N suffix) |
| Packing | — | Tray (blank suffix) |
| Programming Operations | — | READ, ERASE, PROGRAM via command set |
| Write Protection | — | Block protection with lockable boot block |
| Status Output | — | RB# (Ready/Busy) |