M29F800FB55N3F2 vs M29F800FB55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55N3F2 توسط Micron Technology و M29F800FB55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
سازمان 1M x 8 / 512K x 16 Bottom boot (B suffix)
ولتاژ تغذیه 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
نوع رابط Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
دمای کاری -40C to +125C Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix)
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Packaging Tape & Reel (T/R) —
وضعیت RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
اندازه حافظه — 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16)
نوع حافظه — NOR Flash, SLC, Parallel
Supply Voltage Min — 4.5 V
Supply Voltage Max — 5.5 V
رابط — Parallel
عرض گذرگاه داده — 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable)
بسته‌بندی — 48-pin TSOP Type I (N suffix)
Packing — Tray (blank suffix)
Programming Operations — READ, ERASE, PROGRAM via command set
Write Protection — Block protection with lockable boot block
Status Output — RB# (Ready/Busy)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت