M29W064FB70N3E vs M29W064FB70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W064FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W064FB70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M29W064FB70N3E M29W064FB70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
حجم الذاكرة 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
جهد التغذية 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel, CFI compliant Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#)
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
العلبة 48-Pin TSOP 48-TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
حالة RoHS Compliant Compliant (F suffix)
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
التنظيم — 8M x8 / 4M x16
Boot Block Configuration — Bottom boot block (FB)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Status Polling — RY/BY# hardware pin + data polling
Erase/Program Interface — Command set (M29W family compatible)
Part Status — Obsolete

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر