M29W064FB70N3E vs M29W064FB70N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W064FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W064FB70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W064FB70N3E M29W064FB70N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Flash Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय Obsolete
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
मेमोरी आकार 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16) —
सप्लाई वोल्टेज 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel, CFI compliant Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#)
Boot Block Bottom boot block (FB variant) —
पैकेज 48-Pin TSOP 48-TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Organization Switching Byte/Word selectable via BYTE# pin —
Reset/Power-Down RP# pin —
Data Protection Block protection, WP# hardware protection —
Device Signature Electronic signature for device identification —
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
RoHS स्थिति Compliant Compliant (F suffix)
Brand Source Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source) —
Erase/Program Mode Word/byte program, block erase, chip erase —
Density — 64 Mbit
संगठन — 8M x8 / 4M x16
Boot Block Configuration — Bottom boot block (FB)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Status Polling — RY/BY# hardware pin + data polling
Erase/Program Interface — Command set (M29W family compatible)
Part Status — Obsolete

डेटाशीट और संसाधन

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