M29W064FB70N3F vs M29W064FT70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W064FB70N3F بواسطة Micron Technology و M29W064FT70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W064FB70N3F M29W064FT70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 64 Mbit 64 Mbit
التنظيم 8M x8 / 4M x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#) Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot block (FB) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +85C
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
العلبة 48-TSOP 48-TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Status Polling RY/BY# hardware pin + data polling —
Erase/Program Interface Command set (M29W family compatible) —
حالة RoHS Compliant (F suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Part Status Obsolete —
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر