M29W064FB70N3F vs M29W064FT70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W064FB70N3F توسط Micron Technology و M29W064FT70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W064FB70N3F M29W064FT70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر Obsolete فعال
نوع حافظه NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 64 Mbit 64 Mbit
سازمان 8M x8 / 4M x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
رابط Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#) Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot block (FB) —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +85C
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
بسته‌بندی 48-TSOP 48-TSOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Status Polling RY/BY# hardware pin + data polling —
Erase/Program Interface Command set (M29W family compatible) —
وضعیت RoHS Compliant (F suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Part Status Obsolete —
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت