M29W064FB70N3F vs M29W064FT70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W064FB70N3F द्वारा Micron Technology और M29W064FT70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W064FB70N3F M29W064FT70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 64 Mbit 64 Mbit
संगठन 8M x8 / 4M x16 8 Mb x8 or 4 Mb x16
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#) Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot block (FB) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +85C
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
पैकेज 48-TSOP 48-TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Status Polling RY/BY# hardware pin + data polling —
Erase/Program Interface Command set (M29W family compatible) —
RoHS स्थिति Compliant (F suffix) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Part Status Obsolete —
Boot Block Architecture — Top boot block (FT)
Programming Voltage — Single 3 V supply (no separate VPP required)
Erase/Program Method — Command-set page programming, block erase
Product Longevity Program — No
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read supply current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध