M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology و M29W160EB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | — |
| العلبة | 48-pin TSOP | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| Packaging | Tape and Reel | Tray |
| حالة RoHS | RoHS-compliant package (F option) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| التنظيم | — | 2M x8 / 1M x16 |
| الواجهة | — | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us (typical) |
| Cell Type | — | SLC NOR |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| العلبة / الحالة | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Speed Grade | — | -70 |
| FBGA Code | — | N/A (TSOP package) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |