M29W320DT70N3F vs M29W320DB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W320DT70N3F بواسطة Micron Technology و M29W320DB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W320DT70N3F | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Flash |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR | NOR Flash |
| حجم الذاكرة | 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Access Speed | 70 ns | — |
| الواجهة | Parallel (Byte-wide) | Parallel |
| Supply Voltage - VCC | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | 12 V (optional) |
| Boot Block Organization | Top boot block (DT suffix) | — |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| العلبة / الحالة | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Max Seated Height | 1.2 mm | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Write Cycle - Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Density | — | 32 Mbit (33554 kbits) |
| التنظيم | — | 2M x 16 |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Access Time | — | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +125C |
| العلبة | — | 48-TSOP I |
| حالة RoHS | — | ROHS3 Compliant |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |