M29W320DT70N3F vs M29W320DB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W320DT70N3F tarafından Micron Technology ve M29W320DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ Aktif
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W320DT70N3F M29W320DB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Flash
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü FLASH - NOR NOR Flash
Bellek Boyutu 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
Arayüz Parallel (Byte-wide) Parallel
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) 12 V (optional)
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Paket / Kas 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Organizasyon — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
Access Time — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C
Paket — 48-TSOP I
RoHS Durumu — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin