M29W320DT70N3F vs M29W320DB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W320DT70N3F द्वारा Micron Technology और M29W320DB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ सक्रिय
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M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W320DT70N3F M29W320DB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR NOR Flash
मेमोरी आकार 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
इंटरफ़ेस Parallel (Byte-wide) Parallel
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) 12 V (optional)
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
पैकेज / केस 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
संगठन — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
Access Time — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
ऑपरेटिंग तापमान — -40C to +125C
पैकेज — 48-TSOP I
RoHS स्थिति — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

डेटाशीट और संसाधन

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