M29W400FB55N3E vs M29F400FT55N3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology و M29F400FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FB55N3E M29F400FT55N3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 4 Mbit (4194 kbits) 4 Mbit (512K x 8)
التنظيم 512K x 8 bit / 256K x 16 bit —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
الواجهة Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
العلبة 48-TSOP I, 12 x 20 mm 44-SO (SOP-44)
Pins 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
جهد التغذية — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر