M29W400FB55N3E vs M29F400FT55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W400FB55N3E توسط Micron Technology و M29F400FT55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W400FB55N3E M29F400FT55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 4 Mbit (4194 kbits) 4 Mbit (512K x 8)
سازمان 512K x 8 bit / 256K x 16 bit —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
رابط Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
بسته‌بندی 48-TSOP I, 12 x 20 mm 44-SO (SOP-44)
Pins 48 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
ولتاژ تغذیه — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
سطح MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت