M29W400FB55N3E vs M29W800FB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology و M29W800FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FB55N3E M29W800FB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 8 Mbit (8388608 bits)
التنظيم 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
الواجهة Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Hardware Protection Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Pins 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
حالة RoHS Compliant RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
عرض ناقل البيانات — x8/x16 (BYTE# selectable)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
عدد الأطراف — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر