M29W400FB55N3E vs M29W800FB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W400FB55N3E M29W800FB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 8 Mbit (8388608 bits)
संगठन 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 512K x 16 / 1M x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase and read
इंटरफ़ेस Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Hardware Protection Yes —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
Pins 48 —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS स्थिति Compliant RoHS compliant (plastic TSOP-48)
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
डेटा बस चौड़ाई — x8/x16 (BYTE# selectable)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
पिन काउंट — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

डेटाशीट और संसाधन

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