M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FT55N3E M29W400FB55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Flash - NOR Memory IC NOR Flash (parallel)
حجم الذاكرة 4 Mbit —
الواجهة Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tray
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
التنظيم — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
حالة RoHS — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر