M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FT55N3E द्वारा Micron Technology और M29W400FB55N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ सक्रिय
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M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W400FT55N3E M29W400FB55N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Flash - NOR Memory IC NOR Flash (parallel)
मेमोरी आकार 4 Mbit —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
पैकेज 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tray
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (4194 kbits)
संगठन — 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Block Architecture — 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
RoHS स्थिति — Compliant
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

डेटाशीट और संसाधन

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