M29W400FT55N3F vs M29F400FB55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FT55N3F بواسطة Micron Technology و M29F400FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ نشط
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FT55N3F M29F400FB55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash
حجم الذاكرة 4 Mbit —
الواجهة Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
التنظيم 4Mbit, block-organized, top boot block 256K x 16 / 512K x 8
Program/Erase Block erase, word/byte program —
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP I
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: retention years]
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Density — 4 Mbit (4194 kbit)
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر