M29W400FT55N3F vs M29F400FB55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FT55N3F द्वारा Micron Technology और M29F400FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W400FT55N3F M29F400FB55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash NOR Flash
मेमोरी आकार 4 Mbit —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
संगठन 4Mbit, block-organized, top boot block 256K x 16 / 512K x 8
Program/Erase Block erase, word/byte program —
पैकेज 48-TSOP I 48-TSOP I
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: retention years]
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free build per F2 suffix)
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Density — 4 Mbit (4194 kbit)
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]

डेटाशीट और संसाधन

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