M29W800FB70N3F vs M29W160FB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70N3F بواسطة Micron Technology و M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron
M29W800FB70N3F ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W800FB70N3F | M29W160FB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 8 Mbit | — |
| التنظيم | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V |
| نوع الواجهة | Parallel | — |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Boot Block) | FLASH - NOR |
| Boot Block Location | Bottom | — |
| Block Count | 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) | — |
| Bus Width Selection | x8 / x16 via BYTE# pin | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| CFI Compliant | Yes | — |
| Erase Suspend/Resume | Yes | — |
| العلبة | TSOP-48 (12 x 20 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel | Tray |
| حجم الذاكرة | — | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| الواجهة | — | Parallel |
| Programming Voltage | — | Single supply (no separate VPP required) |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Architecture | — | Boot block |
| العلبة / الحالة | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Status Output | — | Data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes (boot block protection) |