M29W800FB70N3F vs M29W160FB70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70N3F द्वारा Micron Technology और M29W160FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FB70N3F M29W160FB70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Density 8 Mbit —
संगठन 512K x 16 / 1M x 8 —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 3.0 V to 3.6 V
इंटरफ़ेस प्रकार Parallel —
मेमोरी प्रकार NOR Flash (Boot Block) FLASH - NOR
Boot Block Location Bottom —
Block Count 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) —
Bus Width Selection x8 / x16 via BYTE# pin —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
CFI Compliant Yes —
Erase Suspend/Resume Yes —
पैकेज TSOP-48 (12 x 20 mm) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS स्थिति Compliant —
Packaging Tape & Reel Tray
मेमोरी आकार — 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
इंटरफ़ेस — Parallel
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Bus Configuration — x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Architecture — Boot block
पैकेज / केस — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

डेटाशीट और संसाधन

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