M29W800FT70ZA3SE vs M29W160EB80ZA3SE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W160EB80ZA3SE بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded
M29W800FT70ZA3SE ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W800FT70ZA3SE | M29W160EB80ZA3SE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | EEPROM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| حجم الذاكرة | 8 Mbit | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| التنظيم | 512K x 16 | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable |
| Technology | SLC | — |
| Access Time | 70 ns | 80 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel (Byte-wide / Word-wide) |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-TFBGA (6x8 mm) | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Programming Interface | CFI command set | — |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT = top boot block) | — |
| Density | 8 Mb | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA code] | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Pb-free (SE suffix) |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) |
| Programming Supply | — | Single 3V supply for program, erase and read |
| Technology Family | — | M29W160EB (3rd generation M29W series) |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Erase Block Architecture | — | Boot block (parameter and main blocks) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |