M29W800FT70ZA3SE vs M29W160EB80ZA3SE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FT70ZA3SE توسط Micron Technology و M29W160EB80ZA3SE توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ فعال
Micron Technology
M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE - 16Mb NOR Flash 80ns TFBGA-48 | Micron

M29W160EB80ZA3SE ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FT70ZA3SE M29W160EB80ZA3SE
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
اندازه حافظه 8 Mbit 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
سازمان 512K x 16 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable
Technology SLC —
Access Time 70 ns 80 ns
رابط Parallel Parallel (Byte-wide / Word-wide)
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TFBGA (6x8 mm) 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (BGA)
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Pb-free (SE suffix)
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
Packaging — Tape & Reel (TR)
Qualification — AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing)
Programming Supply — Single 3V supply for program, erase and read
Technology Family — M29W160EB (3rd generation M29W series)
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Erase Block Architecture — Boot block (parameter and main blocks)
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت