MMBT3904-7-F vs MMBT3904,215 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMBT3904-7-F بواسطة Diodes Incorporated و MMBT3904,215 بواسطة Nexperia. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MMBT3904-7-F MMBT3904,215
العلامة التجارية Diodes Incorporated Nexperia
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 40 V 40 V
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) 40 V 60 V
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 300 mW —
تردد الانتقال (ft) 300 MHz minimum 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) 200 mV typical @ IC=10 mA 200 mV (typical at IC = 10 mA)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C -65 °C to +150 °C
العلبة / الحالة SOT-23-3 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Type MMBT3906-7-F —
RoHS Compliance Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) —
العلبة — SOT-23 (TO-236AB)
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
عدد الأطراف — 3
PNP Complement — MMBT3906
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر