MMG3002NT1 vs MMG3001NT1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMG3002NT1 بواسطة NXP Semiconductors و MMG3001NT1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd
NXP Semiconductors
MMG3001NT1 MMG3001NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, 18.5 dBm InGaP HBT RF Amp | NXP

MMG3001NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, 18.5 dBm InGaP HBT RF Amp | NXP

MMG3001NT1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MMG3002NT1 MMG3001NT1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة RF Amplifiers RF Amplifiers
حالة دورة الحياة NRND نشط
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
الوظيفة General Purpose RF Amplifier (Class A) —
Frequency Range 40 MHz to 3600 MHz 40 MHz to 3.6 GHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output Power (P1dB) 21 dBm (typical) —
جهد التغذية 5.2 V (typical) —
تيار التغذية 110 mA (typical) 58 mA typical
Input / Output Impedance Internally matched to 50 ohm —
العلبة / الحالة TO-243AA (SOT-89) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RF Type General Purpose General Purpose Amplifier
Operating Mode Class A, small-signal, high linearity —
عدد الدبابيس 4 (3 + Tab) —
Packaging Tape & Reel (TR) —
حالة RoHS Compliant Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet]
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number — MMG3001NT1
Output P1dB — 18.5 dBm
Noise Figure — 4.1 dB (typical)
Supply Voltage (Vcc) — 5 V typical, 5.6 V maximum
البنية الطوبولوجية — Class A, internally biased
Input Matching — Internal, 50 ohm
Output Matching — Internal, 50 ohm
العلبة — SOT-89 (TO-243AA)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر