MPX5010GSX vs MPX5010DP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX5010GSX بواسطة NXP Semiconductors و MPX5010DP بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPX5010GSX | MPX5010DP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| نوع الخرج | Analog Voltage | Analog, ratiometric |
| Output Voltage Span | 0.2 V to 4.7 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| تيار التغذية | [DATA_NEEDED: supply current typical] | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Accuracy | 1.0 % typical (per datasheet) | — |
| Response Time | [DATA_NEEDED: response time] | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Port Size | Male 0.19 inch (4.93 mm) Tube, Side Port | — |
| العلبة / الحالة | 6-SIP Module (Case 867F) | — |
| Termination Style | Through-Hole PCB | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Through-hole (SIP) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Media Compatibility | Dry gases (air, non-corrosive) | — |
| Technology | Piezoresistive MEMS with on-chip ASIC | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| نطاق جهد الخرج | — | 0.2 V to 4.7 V |
| جهد التغذية | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| العلبة | — | 6-SIP Module |