MPX5010GSX vs MPX5010DP तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPX5010GSX द्वारा NXP Semiconductors और MPX5010DP द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MPX5010GSX | MPX5010DP |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| आउटपुट प्रकार | Analog Voltage | Analog, ratiometric |
| Output Voltage Span | 0.2 V to 4.7 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| सप्लाई करंट | [DATA_NEEDED: supply current typical] | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Accuracy | 1.0 % typical (per datasheet) | — |
| Response Time | [DATA_NEEDED: response time] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Port Size | Male 0.19 inch (4.93 mm) Tube, Side Port | — |
| पैकेज / केस | 6-SIP Module (Case 867F) | — |
| Termination Style | Through-Hole PCB | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through-hole (SIP) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Media Compatibility | Dry gases (air, non-corrosive) | — |
| Technology | Piezoresistive MEMS with on-chip ASIC | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| आउटपुट वोल्टेज रेंज | — | 0.2 V to 4.7 V |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| पैकेज | — | 6-SIP Module |