MPX5010GSX vs MPX5010DP Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MPX5010GSX tarafından NXP Semiconductors ve MPX5010DP tarafından NXP SemiconductorsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MPX5010GSX | MPX5010DP |
|---|---|---|
| Marka | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Kategori | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Pressure Type | Vented Gauge | Differential |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] | [DATA_NEEDED: max overload kPa] |
| Çıkış Türü | Analog Voltage | Analog, ratiometric |
| Output Voltage Span | 0.2 V to 4.7 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Besleme Akımı | [DATA_NEEDED: supply current typical] | [DATA_NEEDED: supply current mA] |
| Accuracy | 1.0 % typical (per datasheet) | — |
| Response Time | [DATA_NEEDED: response time] | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0 C to 85 C | 0 C to +85 C (compensated) |
| Port Size | Male 0.19 inch (4.93 mm) Tube, Side Port | — |
| Paket / Kas | 6-SIP Module (Case 867F) | — |
| Termination Style | Through-Hole PCB | — |
| Montaj Türü | Through Hole | Through-hole (SIP) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Media Compatibility | Dry gases (air, non-corrosive) | — |
| Technology | Piezoresistive MEMS with on-chip ASIC | Piezoresistive, monolithic silicon, on-chip signal conditioned |
| Sensitivity | — | 450 mV/kPa (typical) |
| Çıkış Gerilimi Aralığı | — | 0.2 V to 4.7 V |
| Besleme Gerilimi | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| Linearity | — | ±1.5% VFSS (typical, 0-85 C) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature C] |
| Port Configuration | — | Dual axial ports, 4.93 mm (0.19 in) tube |
| Paket | — | 6-SIP Module |